IGBT
东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1350V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列（E系列）TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。
东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1350V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列（E系列）TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。
© COPYRIGHT 2008 - 2023 苏州东微半导体股份有限公司 版权所有 苏ICP备18022065号-1
分享
下载资料