联电协助力旺导入28纳米高压制程，未来预计强攻OLED市场

晶圆代工大厂联电20日宣布，IC设计公司力旺一次可编程（OTP）存储器矽智财NeoFuse已成功导入联电28纳米高压（HV）制程，强攻有机发光二极管（OLED）市场，关键客户已经完成设计定案（Tape Out），并且准备量产。

联电表示，高端手机配备OLED显示器已然成为趋势，对小尺寸显示器驱动芯片（SDDI）效能要求亦更高，这样的需求也显示在制程平台的选择上，OLED关键客户逐渐从55纳米或40纳米往更先进的28纳米高压制程靠拢。

而28纳米高压制程可使高效能显示器引擎的复杂运算能力发挥最大功能，提供OLED显示器驱动芯片更快的资料存取速度，更高容量的静态随机存取存储器（SRAM＿及更好功耗，同时达到高画质与省电的目的。

目前联电在2019年的小尺寸显示器驱动芯片（SDDI）量产晶圆出货量为全球之冠，其28纳米后闸式（Gate-Last）HKMG制程具备优越管理漏电功耗与动态功率表现，可以提升移动设备的电池寿命，以此为基础，其28纳米高压制程提供业界最小的静态随机存取存储器（SRAM）记忆单位（Bit-cell）以减少芯片整体面积。

至于，力旺是世界领导之逻辑非挥发性存储器矽智财厂商，NeoFuse矽智财为各种类型之应用提供低功耗、高可靠度、高安全性的解决方案，已经广泛布建于世界各大晶圆厂，从0.15um制程至先进制程节点均已布建，未来也将继续与晶圆厂紧密合作，为客户创造最大利润与价值。

事实上，近来联电受惠于购并日本12寸新厂加入营运，加上通讯与电脑市场领域新品布建及库存回补需求，使得在5G手机射频芯片、OLED驱动芯片，及用于电脑周边和固态硬盘的电源管理芯片的推升下，带动出货量成长。2019年第4季，联电合并营收418.49亿元，较第3季成长10.89%，较2018年同期增加17.17%，创新高纪录。累计，2019年全年合并营收新台币1,482.02亿元，较2018年减2.02%。

信息来源：全球半导体观察官网（www.dramx.com）