SiC MOS苏州东微半导体股份有限公司

产品信息

SiC MOSFET

第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。东微研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验，研发了一系列SiC MOSFET 和GaN HEMT 器件。

SiC MOSFET具有高功率密度、低反向恢复电荷、高开关频率的特性，工作温度高达200°C，可以完美替代Si IGBT在高压大功率领域的应用。

下载资料

Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	V_{th_typ}(V)	R_on (Ω)
Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	T_c=25℃	V_{th_typ}(V)	18V
All TO247 TO247-4L TO247-plus TO263 TO263-7L TO247-4L-NL TOLL		All N Dual N P	All 1200V 650V	All 30 20 15 -8/+22 -20 12 -10/+23

封装	料号	配置	VDS (V)	VGS (V)	ID (A) TA=25	Vth_typ(V)	Ron (Ω) 2.5v

应用领域

产品信息

新闻中心

关于东微

苏州总部

深圳业务支持中心